证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置”，专利申请号为CN201810058206.8，授权日为2024年4月23日。

图片来源于网络，如有侵权，请联系删除

专利摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，通过在由金属氧化物半导体材料制备的有源层中掺入氧离子与氢离子，调控有源层的阈值电压。在制备薄膜晶体管时，各子刻蚀阻挡层是采用等离子体增强化学气相沉积工艺分步沉积得到的，以在沉积各子刻蚀阻挡层时选择性的使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而调控金属氧化物半导体材料中掺入氧离子的量和掺入氢离子的量。这样可以在不增加额外的掺杂工艺的情况下，使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而可以降低工艺制备难度，降低制备成本。

图片来源于网络，如有侵权，请联系删除

今年以来京东方Ａ新获得专利授权1324个，较去年同期增加了59.52%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了113.2亿元，同比增1.97%。

图片来源于网络，如有侵权，请联系删除

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。